抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
编辑时间： 2019-10-14 13:48:04 来源：速来学整理sulaixue.com
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
A.Na+，K+，尤其是K+
B.Ca2+，Cl-，尤其是Ca2+
C.Na+，Cl-，尤其是Na+
D.K+，Cl-，尤其是Cl-
E.K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
答案：D
解析：抑制性突融后电位的形成是因为突触后膜对Cl-（为主）和K+的通透性升高，引起Cl-的内流和K+的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。
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